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IPB180N10S4-02

更新时间: 2024-09-14 14:55:55
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 743K
描述
? 仿真/ SPICE-型号

IPB180N10S4-02 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.65
雪崩能效等级(Eas):1110 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):180 A最大漏源导通电阻:0.0025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263
JESD-30 代码:R-PSSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB180N10S4-02 数据手册

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IPB180N10S4-02  
OptiMOSTM-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
RDS(on)  
ID  
100  
2.5  
V
mW  
A
180  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• RoHS compliant  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB180N10S4-02  
PG-TO263-7-3 4N1002  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, V GS=10V1)  
T C=100°C, V GS=10V2)  
I D  
Continuous drain current  
180  
171  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25°C  
720  
1110  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=90A  
mJ  
A
-
180  
V GS  
P tot  
-
±20  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
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