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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB180N10S402ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB180N10S4-03 | INFINEON |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列， |
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| IPB180N10S403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB180P04P4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPB180P04P403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB180P04P4L-02 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPB19DP10NM | INFINEON |
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D2PAK 封装型 100 V OptiMOS? P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、 |
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| IPB200N15N3 | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent |
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| IPB200N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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