5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB038N12N3G
IPB038N12N3G PDF预览

IPB038N12N3G

更新时间： 2024-09-15 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体栅极晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 503K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB038N12N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.31雪崩能效等级（Eas）：900 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：120 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB038N12N3G 数据手册

 浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB038N12N3G的Datasheet PDF文件第7页 
IPI041N12N3 G  
IPB038N12N3 G  
IPP041N12N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
120  
3.8  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO-263)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
120  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant, halogen free  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPB038N12N3 G  
IPI041N12N3 G  
IPP041N12N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO263-3  
038N12N  
PG-TO262-3  
041N12N  
PG-TO220-3  
041N12N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
120  
120  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
480  
I D=100 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
900  
mJ  
V
Gate source voltage 4)  
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-07-16  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IPB038N12N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB039N04LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPB039N04LGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB039N10N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPB039N10N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB03N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB03N03LAG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB03N03LB INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB040N08NF2S INFINEON

获取价格

 		Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPB041N04NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB041N04NGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPB038N12N3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证