5秒后页面跳转
IPB039N10N3 G PDF预览

IPB039N10N3 G

更新时间: 2024-09-16 11:14:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 666K
描述
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。

IPB039N10N3 G 数据手册

 浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB039N10N3 G的Datasheet PDF文件第7页 
IPB039N10N3 G  
"%&$!"#3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V 9H  
)((  
+&1  
J
P ' ꢀ3 81>>5<ꢁ >? A=1< <5E5<  
R 9H"[Z#$YMc  
I 9  
Y"  
6
P  G3 5<<5>C 71C5 3 81A75 G R 9H"[Z# @A? 4D3 C  ( &   
P .5AH <? F ? >ꢀA5B9BC1>3 5 R 9H"[Z#  
).(  
P " 978 3 DAA5>C 3 1@12 9<9CH  
P    Sꢈ ? @5A1C9>7 C5=@5A1CDA5  
P )2 ꢀ6A55 <514 @<1C9>7ꢉ + ? " , 3 ? =@<91>C  
P * D1<96954 13 3 ? A49>7 C? $     )# 6? A C1A75C 1@@<93 1C9? >  
P " 1<? 75>ꢀ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢂ       ꢀꢌ ꢀꢌ   
Type  
#)ꢖ    '   '  !  
Package  
Marking  
E=%ID*.+%/  
(+1C)(C  
Maximum ratings, 1C T V   Sꢈ  D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T 8   Sꢈ *#  
I 9  
 ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C  
).(  
))+  
6
T 8    Sꢈ  
)D<B54 4A19> 3 DAA5>C*#  
I 9$\`X^Q  
E 6H  
T 8   Sꢈ  
I 9      R =H   "  
.,(  
 E1<1>3 85 5>5A7Hꢁ B9>7<5 @D<B5  
!1C5 B? DA3 5 E? <C175  
+,(  
Y@  
J
V =H  
p*(  
P _[_  
T 8   Sꢈ  
)? F5A 49BB9@1C9? >  
*),  
K
Sꢈ  
T V T ^_S  
( @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5  
#ꢂ  3 <9=1C93 3 1C57? AHꢉ  #' #ꢂ    ꢀꢅ  
ꢀꢇ  ꢒꢒꢒ     
  ꢔꢅ   ꢔꢇ   
)#$ ꢀ,-ꢊ   1>4 $  ,ꢊ    
*# ,55 697DA5   
+ 5Eꢒꢌ ꢒꢐ   
@175   
    ꢀꢅ  ꢀꢅ   

与IPB039N10N3 G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB039N10N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB03N03LA INFINEON

获取价格

OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB03N03LAG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB03N03LB INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB040N08NF2S INFINEON

获取价格

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPB041N04NG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB041N04NGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB042N03LG INFINEON

获取价格

IPB042N03LG
IPB042N03LGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB042N10N3 G INFINEON

获取价格

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM