Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

更新时间： 2024-09-16 22:51:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
8页	212K
描述
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

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HGTP5N120BND 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	21 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	200 ns	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	167 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	20 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	357 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

HGTP5N120BND 数据手册

HGTG5N120BND, HGTP5N120BND

Data Sheet

May 2003

21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs

with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

Features

• 21A, 1200V, T = 25 C

The HGTG5N120BND and HGTP5N120BND are Non-

Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new

members of the MOS gated high voltage switching IGBT

family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and

bipolar transistors. This device has the high input impedance

of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a

bipolar transistor. The IGBT used is the development type

TA49308. The Diode used is the development type TA49058

(Part number RHRD6120).

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . 175ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

• Related Literature

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays

and contactors.

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49306.

Ordering Information

COLLECTOR

(FLANGE)

PART NUMBER

HGTG5N120BND

HGTP5N120BND

PACKAGE

TO-247

TO-220AB

BRAND

5N120BND

NOTE: When ordering, use the entire part number. i.e.,

HGTG5N120BND.

JEDEC TO-220AB (ALTERNATE VERSION)

Symbol

COLLECTOR

(FLANGE)

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG5N120BND, HGTP5N120BND, Rev. B1

12 3 4 5 6 7 8

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HGTP5N120BND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTP5N120BND	ONSEMI	类似代替	1200V，NPT IGBT

与HGTP5N120BND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTP5N120CN	INTERSIL	获取价格	25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTP5N120CND	INTERSIL	获取价格	25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP5N120CNS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| TO-263AB
HGTP5N120CNS9A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 25A I(C) \| TO-263AB
HGTP6N120B3D	RENESAS	获取价格	1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
HGTP7N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTP7N60A4	ROCHESTER	获取价格	34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
HGTP7N60A4	ONSEMI	获取价格	IGBT，600V，SMPS
HGTP7N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTP7N60A4_NL	ROCHESTER	获取价格	34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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