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HGTP7N60B3

更新时间： 2024-02-28 08:59:39

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		局域网电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1010K
描述
14A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3

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HGTP7N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.11
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	14 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	175 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	350 ns
标称接通时间 (ton)：	46 ns	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTP7N60B3D	FAIRCHILD	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP7N60B3D	INTERSIL	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP7N60B3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
HGTP7N60C3	FAIRCHILD	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP7N60C3	INTERSIL	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP7N60C3	HARRIS	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP7N60C3D	FAIRCHILD	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP7N60C3D	INTERSIL	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP7N60C3D_05	FAIRCHILD	获取价格	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP7N60C3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB,