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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.11 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 14 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 490 ns | 标称接通时间 (ton)： | 20 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTP7N60C3DS | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
|
| HGTP7N60C3DS9A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
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| HGTP7N60C3S | FAIRCHILD |
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14A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTP7N60C3S9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
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| HGU065NE4A | CRMICRO |
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TO-251 |
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| HGU09N06A | CRMICRO |
获取价格 |
TO-251 |
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| HGU09N06A-G | CRMICRO |
获取价格 |
TO-251 |
|
| HGU10N04A | CRMICRO |
获取价格 |
TO-251 |
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| HGV115 | HAMMOND |
获取价格 |
Systeme modulaire a profiles ajoures |
|
| HGV135 | HAMMOND |
获取价格 |
Systeme modulaire a profiles ajoures |
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