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FQD9N08TM PDF预览

FQD9N08TM

更新时间： 2024-09-12 20:06:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 534K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FQD9N08TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：55 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.4 A最大漏极电流 (ID)：7.4 A
最大漏源导通电阻：0.21 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：29.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQD9N08TM 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQD9N08 / FQU9N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
9.3A, 80V, R  
= 0.21Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 5.9 nC)  
Low Crss ( typical 13 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as automotive,  
high efficiency switching for DC/DC converters, and DC  
motor control.  
D
!
D
"
! "  
"
"
!
G
I-PAK  
FQU Series  
D-PAK  
FQD Series  
G
S
G
D
!
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQD9N08 / FQU9N08  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
7.4  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
4.68  
29.6  
± 25  
55  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
7.4  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
25  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.2  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
5.0  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
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FQD9N08TM 替代型号

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