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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQH8N100C
FQH8N100C PDF预览

FQH8N100C

更新时间： 2024-09-12 03:37:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1006K
描述
1000V N-Channel MOSFET

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FQH8N100C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：850 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：1.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：225 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQH8N100C 数据手册

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March 2008  
®
QFET  
FQH8N100C  
1000V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
8A, 1000V, RDS(on) = 1.45Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge (typical 53nC)  
Low Crss (typical 16pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballast based on half bridge  
topology.  
D
G
TO-247  
G
D
S
FQH Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQH8N100C  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
8.0  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
5.0  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
32  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
850  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
8.0  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
22  
mJ  
V/ns  
W
4.0  
225  
- Derate above 25°C  
1.79  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
0.56  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
0.24  
--  
40  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQH8N100C Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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