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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.53 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI11N40TU | ROCHESTER |
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11.4A, 400V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQI11P06TU | ROCHESTER |
获取价格 |
11.4A, 60V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI11P06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 60V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQI12N20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11.6A I(D) | TO-262AA |
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| FQI12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQI12N20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQI12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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