5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 195 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI13N50CTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V，13A，480mΩ |
|
| FQI13N50CTU | ROCHESTER |
获取价格 |
13A, 500V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, LEAD FREE, I2PAK-3 |
|
| FQI140N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI140N03LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQI14N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQI15P12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V P-Channel MOSFET |
|
| FQI16N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI16N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQI16N25C | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
