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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.33 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45.6 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI12N20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11.6A I(D) | TO-262AA |
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| FQI12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQI12N20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQI12N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60CTU | ROCHESTER |
获取价格 |
12A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, I2PAK-3 |
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| FQI12N60TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQI12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQI12P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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