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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQI12N60C
FQI12N60C PDF预览

FQI12N60C

更新时间： 2024-09-14 21:53:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 643K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQI12N60C 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：870 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.65 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQI12N60C 数据手册

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TM  
QFET  
FQB12N60C / FQI12N60C  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
12A, 600V, R  
= 0.65Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 48 nC)  
Low Crss ( typical 21 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I2-PAK  
FQI Series  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB12N60C / FQI12N60C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
12  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
7.4  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
48  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
870  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
12  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
22.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C)  
3.13  
225  
A
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.78  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.56  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2003  
1234567...9

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与FQI12N60C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI12N60CTU ROCHESTER

获取价格

 		12A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, I2PAK-3
FQI12N60TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQI12P10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V P-Channel MOSFET
FQI12P10TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
FQI12P20 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQI12P20TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
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 		60V N-Channel MOSFET
FQI13N06L FAIRCHILD

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 		60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI13N06TU ROCHESTER

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 		13A, 60V, 0.135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
FQI13N10 FAIRCHILD

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