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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.19 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 16.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.115 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI17N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQI17N08TU | ROCHESTER |
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16.5A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI17P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQI17P06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FQI17P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQI17P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| FQI19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQI19N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI19N10LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQI19N10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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