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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 10.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI20N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET |
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| FQI20N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQI20N06TU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| FQI22N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263 |
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| FQI22P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET |
|
| FQI22P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQI24N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET |
|
| FQI26N03L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
|
| FQI26N03LTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| FQI27N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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