是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | I2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.37 |
雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.5 A | 最大漏源导通电阻: | 10.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 63 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQI20N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQI20N06L | FAIRCHILD |
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60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQI20N06TU | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQI22N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263 | |
FQI22P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET | |
FQI22P10TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FQI24N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQI26N03L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 | |
FQI26N03LTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
FQI27N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |