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FQI2N30

更新时间: 2024-11-03 22:25:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 738K
描述
300V N-Channel MOSFET

FQI2N30 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-262包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.29
雪崩能效等级(Eas):100 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.1 A
最大漏极电流 (ID):2.1 A最大漏源导通电阻:3.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8.4 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQI2N30 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FQI2NA90 FAIRCHILD

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