5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQI3N25
FQI3N25 PDF预览

FQI3N25

更新时间： 2024-11-17 22:25:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 624K
描述
250V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQI3N25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：2.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQI3N25 数据手册

 浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQI3N25的Datasheet PDF文件第7页 
November 2000  
TM  
QFET  
FQB3N25 / FQI3N25  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
2.8A, 250V, R  
= 2.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.0 nC)  
Low Crss ( typical 4.7 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
G !  
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB3N25 / FQI3N25  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
250  
2.8  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.77  
11.2  
± 30  
40  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
45  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.36  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.78  
40  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, November 2000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与FQI3N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI3N25TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQI3N25TU ROCHESTER

获取价格

 		2.8A, 250V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
FQI3N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQI3N30TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQI3N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQI3N60 FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQI3N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQI3N80TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FQI3N90 FAIRCHILD

获取价格

 		900V N-Channel MOSFET
FQI3N90TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与FQI3N25相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证