5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.28 | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI3P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQI3P20TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.8A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
|
| FQI3P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQI3P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQI44N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQI44N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQI44N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQI44N10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| FQI45N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI45N03LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
