是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | I2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.3 |
雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.8 A |
最大漏源导通电阻: | 2.7 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 11.2 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | NO |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQI3P50 | FAIRCHILD |
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500V P-Channel MOSFET | |
FQI44N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQI44N08TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQI44N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQI44N10TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
FQI45N03L | FAIRCHILD |
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30V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQI45N03LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
FQI45N15V2 | FAIRCHILD |
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150V N-Channel MOSFET | |
FQI46N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET | |
FQI47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |