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FQI3P20TU

更新时间: 2024-11-21 21:17:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1274K
描述
2.8A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3

FQI3P20TU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:I2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.3
雪崩能效等级(Eas):150 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):2.8 A
最大漏源导通电阻:2.7 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):11.2 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQI3P20TU 数据手册

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