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FQI4P25

更新时间： 2024-11-03 22:25:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 581K
描述
250V P-Channel MOSFET

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FQI4P25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262包装说明：I2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQI4P25 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQB4P25 / FQI4P25  
250V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
-4.0A, -250V, R  
= 2.1Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 10.3 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters.  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB4P25 / FQI4P25  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-250  
-4.0  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-2.53  
-16  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
280  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
-4.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
75  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.6  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.67  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI4P25TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FQI4P40 FAIRCHILD

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 		400V P-Channel MOSFET
FQI4P40TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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FQI50N06LTU ROCHESTER

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