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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.9 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI44N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQI44N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQI44N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQI44N10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| FQI45N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI45N03LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQI45N15V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI46N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
|
| FQI47P06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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