是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262 | 包装说明: | I2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.29 | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.4 A |
最大漏源导通电阻: | 6.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 9.6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQI2N90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET | |
FQI2N90TU | ROCHESTER |
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2.2A, 900V, 7.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 | |
FQI2NA90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET | |
FQI2P25 | FAIRCHILD |
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250V P-Channel MOSFET | |
FQI2P40 | FAIRCHILD |
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400V P-Channel MOSFET | |
FQI30N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQI30N06L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA | |
FQI30N06TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQI32N12V2 | FAIRCHILD |
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120V N-Channel MOSFET | |
FQI32N12V2TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |