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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFBF20LPBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| IRFBF20L | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI2N90TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.2A, 900V, 7.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
|
| FQI2NA90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQI2P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| FQI2P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
|
| FQI30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQI30N06L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
|
| FQI30N06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQI32N12V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V N-Channel MOSFET |
|
| FQI32N12V2TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQI32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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