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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQI27N25TU
FQI27N25TU PDF预览

FQI27N25TU

更新时间： 2024-09-16 12:23:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 1105K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQI27N25TU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-262
包装说明：I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.9
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：25.5 A最大漏极电流 (ID)：25.5 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：180 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：102 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQI27N25TU 数据手册

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April 2010  
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FQI27N25TU_F085  
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©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQI27N25TU_F085 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
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FQI27N25TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQI27N25 FAIRCHILD

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