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FQI27N25 PDF预览

FQI27N25

更新时间: 2024-11-17 22:11:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 776K
描述
250V N-Channel MOSFET

FQI27N25 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-262
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.36
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):600 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):25.5 A最大漏极电流 (ID):25.5 A
最大漏源导通电阻:0.11 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):180 W最大脉冲漏极电流 (IDM):102 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQI27N25 数据手册

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FQI27N25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQI27N25TU FAIRCHILD

功能相似

250V N-Channel MOSFET

与FQI27N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI27N25TU FAIRCHILD

获取价格

250V N-Channel MOSFET
FQI27N25TU ROCHESTER

获取价格

25.5A, 250V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
FQI27N25TU ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,25.5 A,110 mΩ,I2PA
FQI27N25TU_F085 FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQI27N25TU-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,MOSFET,250V,25.5A,131mΩ
FQI27P06 FAIRCHILD

获取价格

60V P-Channel MOSFET
FQI27P06TU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FQI28N15 FAIRCHILD

获取价格

150V N-Channel MOSFET
FQI28N15TU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQI2N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET