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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 102 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI27N25TU_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FQI27N25TU-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，MOSFET，250V，25.5A，131mΩ |
|
| FQI27P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQI27P06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FQI28N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI28N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQI2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQI2N30TU | ROCHESTER |
获取价格 |
2.1A, 300V, 3.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQI2N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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