5秒后页面跳转
FQI27N25TU PDF预览

FQI27N25TU

更新时间: 2024-11-04 20:20:59
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1522K
描述
25.5A, 250V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3

FQI27N25TU 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-262AA
包装说明:I2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.37
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):600 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (ID):25.5 A最大漏源导通电阻:0.11 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):102 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQI27N25TU 数据手册

 浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQI27N25TU的Datasheet PDF文件第7页 

与FQI27N25TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI27N25TU_F085 FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQI27N25TU-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,MOSFET,250V,25.5A,131mΩ
FQI27P06 FAIRCHILD

获取价格

60V P-Channel MOSFET
FQI27P06TU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FQI28N15 FAIRCHILD

获取价格

150V N-Channel MOSFET
FQI28N15TU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQI2N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET
FQI2N30TU ROCHESTER

获取价格

2.1A, 300V, 3.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
FQI2N50 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQI2N50TU FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met