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FQI24N08 PDF预览

FQI24N08

更新时间： 2024-11-03 22:25:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 722K
描述
80V N-Channel MOSFET

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FQI24N08 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQI24N08 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQB24N08 / FQI24N08  
80V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, high  
efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
24A, 80V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 19 nC)  
Low Crss ( typical 50 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQB24N08 / FQI24N08  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
80  
24  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
17  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
96  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 25  
230  
24  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C) *  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
6.5  
3.75  
75  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
W
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.5  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +175  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.0  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
40  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
1234567...9

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与FQI24N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI26N03L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263
FQI26N03LTU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQI27N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQI27N25TU FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQI27N25TU ROCHESTER

获取价格

 		25.5A, 250V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
FQI27N25TU ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，25.5 A，110 mΩ，I2PA
FQI27N25TU_F085 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQI27N25TU-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，MOSFET，250V，25.5A，131mΩ
FQI27P06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel MOSFET
FQI27P06TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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