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FQI22N30 PDF预览

FQI22N30

更新时间: 2024-11-03 23:52:47
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 765K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263

FQI22N30 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQI22P10 FAIRCHILD

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100V P-Channel MOSFET
FQI22P10TU FAIRCHILD

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263
FQI26N03LTU FAIRCHILD

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250V N-Channel MOSFET
FQI27N25TU ROCHESTER

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FQI27N25TU ONSEMI

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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,25.5 A,110 mΩ,I2PA
FQI27N25TU_F085 FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M