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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI1N60TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQI1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQI20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQI20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI20N06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQI22N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263 |
|
| FQI22P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQI22P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQI24N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQI26N03L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
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