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| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEAD FREE, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | 雪崩能效等级（Eas）： | 870 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI12N60TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQI12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQI12P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| FQI12P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQI12P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQI13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQI13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQI13N06TU | ROCHESTER |
获取价格 |
13A, 60V, 0.135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI13N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQI13N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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