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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 46.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI12N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQI12N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQI12N60CTU | ROCHESTER |
获取价格 |
12A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, I2PAK-3 |
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| FQI12N60TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQI12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQI12P10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQI12P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQI12P20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| FQI13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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