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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQH90N15
FQH90N15 PDF预览

FQH90N15

更新时间： 2024-09-14 21:54:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 679K
描述
N-Channel Power MOSFET

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FQH90N15 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQH90N15 数据手册

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®
QFET  
FQH90N15 / FQA90N15  
N-Channel Power MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
90A, 150V, R  
= 0.018Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge (typical 220 nC)  
Low C (typical 200 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for low volt-  
age applications such as audio amplifire, high efficiency switch-  
ing for DC/DC converters, and DC motor control, uninterrupted  
power supply.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-247  
TO-3P  
!
S
G
FQH Series  
FQA Series  
D
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQH90N15/FQA90N15  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
150  
V
DSS  
I
- Continuous (T = 25°C)  
90  
63.5  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
360  
±25  
1400  
90  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
37.5  
6.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
- Derate above 25°C  
375  
2.5  
W
W/°C  
D
C
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
--  
Max.  
0.4  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQH90N15 / FQA90N15 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
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FQH90N15 替代型号

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