是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-3PN |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 7.69 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 1400 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 375 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQA90N15 | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel Power MOSFET | |
FQH90N15 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQA90N15-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 150V,90A,18mΩ | |
FQA9N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90C_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA9N90C-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,9.0 A,1.4 Ω,TO-3P |