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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 2430 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 105 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 420 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQH90N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| FQH90N15_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| FQI10N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQI10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQI10N20CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQI10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQI10N20LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQI10N20TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQI10N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQI10N60CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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