5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 140 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 140 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 560 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQH18N50V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQH35N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQH44N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQH44N10_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQH44N10_F133 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQH44N10-133 | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| FQH44N10-F133 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 100V，48A，39mΩ |
|
| FQH70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
FQH70N10 100V N-Channel MOSFET |
|
| FQH8N100C | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET |
|
| FQH8N100C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-2 |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
