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FQH35N40

更新时间： 2024-09-11 22:25:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 699K
描述
400V N-Channel MOSFET

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FQH35N40 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：1600 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQH35N40 数据手册

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July 2005  
QFET®  
FQH35N40  
400V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
35A, 400V, R  
= 0.105Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 110 nC)  
Low Crss ( typical 65 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switch mode power supply, electronic lamp ballast based  
on half bridge.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
z
ꢀ ꢁ  
z
z
{
G
TO-247  
{
G
D
FQH Series  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
DSS  
Parameter  
FQH35N40  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
400  
V
I
- Continuous (T = 25°C)  
- Continuous (T = 100°C)  
35  
22  
A
A
D
C
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
140  
30  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1600  
35  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
31  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
310  
2.5  
W
W/°C  
D
C
- Derate above 25°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
θJC  
θCS  
θJA  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.4  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQH35N40 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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