5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 214 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQH8N100C | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000V N-Channel MOSFET |
|
| FQH8N100C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-2 |
|
| FQH90N10V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQH90N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| FQH90N15_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
|
| FQI10N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQI10N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQI10N20CTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQI10N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQI10N20LTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
