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FQH44N10-F133

更新时间： 2024-09-13 11:12:23

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安森美 - ONSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	323K
描述
N 沟道 QFET® MOSFET 100V，48A，39mΩ

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FQH44N10-F133 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	1.28	雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQH44N10-F133 数据手册

MOSFET – N-Channel, QFET⁾

100 V, 48 A, 39 mW

FQH44N10

Description

This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced

using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS

technology. This advanced MOSFET technology has been especially

tailored to reduce on−state resistance, and to provide superior

switching performance and high avalanche energy strength. These

devices are suitable for switched mode power supplies, audio

amplifier, DC motor control, and variable switching power

applications.

www.onsemi.com

MAX

I MAX

DSS

DS(ON)

100 V

39 mW @ 10 V

48 A

Features

• 48 A, 100 V, R

= 39 mW (Max.) @ V = 10 V,

DS(on)

I = 24 A

• Low Gate Charge (Typ. 48 nC)

• Low Crss (Typ. 85 pF)

• 100% Avalanche Tested

• 175°C Maximum Junction Temperature Rating

POWER MOSFET

TO−247−3LD

CASE 340CK

MARKING DIAGRAM

$Y&Z&3&K

FQH

44N10

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

FQH44N10

= Specific Device Code

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Publication Order Number:

March, 2021 − Rev. 5

FQH44N10/D

12 3 4 5 6 7...9

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