5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQG4904TU
FQG4904TU PDF预览

FQG4904TU

更新时间： 2024-09-12 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1154K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 400V, 3ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQG4904TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.75配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.46 A
最大漏极电流 (ID)：0.46 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDIP-T8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：3.68 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQG4904TU 数据手册

 浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQG4904TU的Datasheet PDF文件第7页 
TM  
QFET  
FQG4904  
400V Dual N & P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These dual N and P-channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild’s  
proprietary, planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for electronic lamp ballast based on half bridge.  
•
N-Channel 0.46A, 400V, R  
P-Channel -0.46A, -400V, R  
Low gate charge ( typical N-Channel 7.6 nC)  
( typical P-Channel 20.0 nC)  
Fast switching  
= 3.0 Ω @ V = 10 V  
DS(on) GS  
= 3.0 Ω @ V = -10 V  
DS(on)  
GS  
•
•
•
Improved dv/dt capability  
5
6
4
3
2
1
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
S2  
G1  
7
S1  
Pin #1  
8-DIP  
8
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
N-Channel  
400  
P-Channel  
-400  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
DrainCurrent  
0.46  
-0.46  
A
D
A
- Continuous (T = 100°C)  
0.29  
-0.29  
A
A
I
(Note 1)  
(Note 2)  
DrainCurent  
- Pulsed  
3.68  
-3.68  
A
DM  
V
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.5  
-4.5  
V/ns  
W
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
1.6  
D
A
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.013  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 5a)  
--  
78  
°C/W  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, April 2002  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与FQG4904TU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQH140N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQH44N10_08 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQH44N10_F133 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQH44N10-133 ONSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
FQH44N10-F133 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 100V，48A，39mΩ
FQH70N10 FAIRCHILD

获取价格

 		FQH70N10 100V N-Channel MOSFET
FQH8N100C FAIRCHILD

获取价格

 		1000V N-Channel MOSFET

与FQG4904TU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证