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FQE10N20LC

更新时间： 2024-09-11 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 895K
描述
200V Logic N-Channel MOSFET

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FQE10N20LC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.39 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQE10N20LC 数据手册

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QFET®  
FQE10N20LC  
200V Logic N-Channel MOSFET  
General Description  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
Features  
•
•
•
•
•
•
4.0A, 200V, RDS(on) = 0.36Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 14.5 nC)  
Low Crss ( typical 44.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
D
{
●
◀
▲
●
●
{
G
TO-126  
{
S
FQE Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQE10N20LC  
Units  
V
A
A
A
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
200  
4
2.5  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
16  
VGSS  
EAS  
IAR  
EAR  
dv/dt  
PD  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
± 20  
320  
4
1.28  
5.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
W/°C  
°C  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
12.8  
0.10  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
--  
Max  
9.8  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2004  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQE10N20LCTU FAIRCHILD

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