是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 12.8 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQG4902 | FAIRCHILD |
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250V Dual N & P-Channel MOSFET | |
FQG4904 | FAIRCHILD |
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400V Dual N & P-Channel MOSFET | |
FQG4904TU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 400V, 3ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, | |
FQH140N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQH18N50V2 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQH35N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQH44N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQH44N10_08 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQH44N10_F133 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQH44N10-133 | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor |