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FQE10N20CTU PDF预览

FQE10N20CTU

更新时间： 2024-09-12 21:15:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 624K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-126, 3 PIN

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FQE10N20CTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQE10N20CTU 数据手册

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®
QFET  
FQE10N20C  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
•
•
•
•
•
•
4.0A, 200V, R  
= 0.36Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 40.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-126  
FQE Series  
!
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQE10N20C  
200  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4.0  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.5  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
16  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
320  
mJ  
A
AS  
4.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
1.28  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
12.8  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.10  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
9.8  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
62.5  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, January 2004  
12345678

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与FQE10N20CTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQE10N20LC FAIRCHILD

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 		200V Logic N-Channel MOSFET
FQE10N20LCTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQG4902 FAIRCHILD

获取价格

 		250V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904 FAIRCHILD

获取价格

 		400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 400V, 3ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FQH140N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 FAIRCHILD

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 		400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 FAIRCHILD

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 		100V N-Channel MOSFET
FQH44N10_08 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET

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