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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 68 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W |
| 最大上升时间（tr）： | 70 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA60N65SMMF | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGA60N65SMMW | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGA6530WDF | ONSEMI |
获取价格 |
650 V、30 A 场截止沟道 IGBT |
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| FGA6540WDF | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650 V，40A，场截止沟槽 |
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| FGA6560WDF | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，650V，60A，场截止沟槽 |
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| FGA70N30T | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V, 70A PDP IGBT |
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| FGA70N30TD | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V, 70A PDP IGBT |
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| FGA70N30TDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGA70N30TTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN |
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| FGA70N30TTU | ROCHESTER |
获取价格 |
300V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN |
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