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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 最大集电极电流 (IC)： | 90 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 310 ns | 标称接通时间 (ton)： | 240 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA90N33AT | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGA90N33ATDTU | ONSEMI |
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330V，PDP 沟槽 IGBT |
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| FGA90N33ATTU | ONSEMI |
获取价格 |
Discrete IGBT, TO-3PN 3L, 3600-RAIL |
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| FGA90N33ATTU | ROCHESTER |
获取价格 |
90A, 330V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN |
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| FGA90N33ATTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGAF20N60SMD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600 V, 20 A Field Stop IGBT |
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| FGAF20N60SMD | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，20A，场截止 |
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