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FGAF40N60UFTU_NL

更新时间： 2024-09-19 20:58:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 491K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN

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FGAF40N60UFTU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：67 nsBase Number Matches：1

FGAF40N60UFTU_NL 数据手册

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IGBT  
FGAF40N60UF  
Ultrafast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.3 V @ I = 20A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
G
TO-3PF  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
Collector-Emitter Voltage  
FGAF40N60UF  
Units  
V
V
V
600  
± 20  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
40  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
20  
A
C
Pulsed Collector Current  
160  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
100  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
40  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
(IGBT)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.2  
40  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGAF40N60UF Rev. A  
1234567

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FGAF40S65AQ ONSEMI

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