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FGAF40N60UF

更新时间： 2024-09-18 21:53:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 495K
描述
Ultrafast IGBT

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FGAF40N60UF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.65Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：67 nsBase Number Matches：1

FGAF40N60UF 数据手册

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IGBT  
FGAF40N60UF  
Ultrafast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.3 V @ I = 20A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
G
TO-3PF  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
Collector-Emitter Voltage  
FGAF40N60UF  
Units  
V
V
V
600  
± 20  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
40  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
20  
A
C
Pulsed Collector Current  
160  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
100  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
40  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
(IGBT)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.2  
40  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGAF40N60UF Rev. A  
1234567

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