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FGAF20N60SMD

更新时间： 2024-11-10 12:29:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 960K
描述
600 V, 20 A Field Stop IGBT

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FGAF20N60SMD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：27 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：109 ns标称接通时间 (ton)：31 ns
Base Number Matches：1

FGAF20N60SMD 数据手册

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April 2013  
FGAF20N60SMD  
600 V, 20 A Field Stop IGBT  
Features  
General Description  
o
®
•
•
•
•
•
•
•
•
Maximum Junction Temperature : T = 175 C  
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild ’s new series  
J
nd  
of field stop 2 generation IGBTs offer the optimum perfor-  
Positive Temperaure Co-efficient for easy Parallel Operating  
High Current Capability  
mance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications  
where low conduction and switching losses are essential.  
Low Saturation Voltage: V  
High Input Impedance  
= 1.7 V(Typ.) @ I = 20 A  
C
CE(sat)  
Fast Swiching: E  
= 7 uJ/A  
OFF  
Tightened Parameter Distribution  
RoHS Compliant  
Applications  
•
Sewing Machine, CNC  
•
Home Appliances, Motor-Control  
C
G
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
Unit  
V
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
20  
V
o
Collector Current  
@ T = 25 C  
40  
A
C
I
C
o
Collector Current  
@ T = 100 C  
20  
A
C
I
I
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
60  
A
CM (1)  
o
@ T = 25 C  
20  
10  
A
C
F
o
Diode Forward Current  
@ T = 100 C  
A
C
I
Pulsed Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
60  
A
FM (1)  
o
@ T = 25 C  
75  
W
W
C
P
D
o
@ T = 100 C  
37.5  
C
o
T
-55 to +175  
-55 to +175  
C
J
o
T
C
stg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
o
T
300  
C
L
Notes:  
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGAF20N60SMD Rev. C2  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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