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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 最大集电极电流 (IC)： | 90 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 330 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 150 ns | 标称接通时间 (ton)： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGAF20N60SMD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600 V, 20 A Field Stop IGBT |
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| FGAF20N60SMD | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，20A，场截止 |
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| FGAF20N60SMMD | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGAF20N60SMMF | MICROSS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FGAF20S65AQ | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT, 650 V, 20A Field Stop Trench |
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| FGAF30S65AQ | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT, 650 V,30A Field Stop Trench |
|
| FGAF40N60SMD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600 V, 40 A Field Stop IGBT |
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| FGAF40N60SMD | ONSEMI |
获取价格 |
IGBT，600V，40A，场截止 |
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| FGAF40N60UF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultrafast IGBT |
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| FGAF40N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultrafast IGBT |
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