5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FGA90N33ATTU
FGA90N33ATTU PDF预览

FGA90N33ATTU

更新时间： 2024-09-19 21:10:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅
页数 文件大小 规格书
8页 617K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

FGA90N33ATTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PN
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：90 A集电极-发射极最大电压：330 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：30 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：223 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：150 ns标称接通时间 (ton)：60 ns
Base Number Matches：1

FGA90N33ATTU 数据手册

 浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FGA90N33ATTU的Datasheet PDF文件第7页 
April 2008  
FGA90N33AT  
tm  
330V, 90A PDP Trench IGBT  
Features  
General Description  
•
•
•
•
•
High current capability  
Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of  
trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica-  
tions where low conduction and switching losses are essential.  
Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A  
High input impedance  
Fast switching  
RoHS compliant  
Applications  
•
PDP System  
C
G
TO-3P  
G
C
E
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
330  
Units  
VCES  
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
V
V
A
A
A
VGES  
± 30  
IC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 25oC  
90  
IC pulse(1)  
IC pulse(2)  
Pulsed Collector Current  
Pulsed Collector Current  
220  
@ TC = 25oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 100oC  
330  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
223  
89  
W
W
oC  
oC  
PD  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
Tstg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
oC  
TL  
300  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.56  
40  
Units  
oC/W  
oC/W  
RθJC(IGBT)  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
-
-
Notes:  
(1) Repetitive test , Pulse width=100usec , Duty=0.1  
(2) Half sine wave , D<0.01, Pulse width<5usec  
*I pluse limited by max Tj  
C
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGA90N33AT Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FGA90N33ATTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGAF20N60SMD FAIRCHILD

获取价格

 		600 V, 20 A Field Stop IGBT
FGAF20N60SMD ONSEMI

获取价格

 		IGBT，600V，20A，场截止
FGAF20N60SMMD MICROSS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
FGAF20N60SMMF MICROSS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
FGAF20S65AQ ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 650 V, 20A Field Stop Trench
FGAF30S65AQ ONSEMI

获取价格

 		IGBT, 650 V,30A Field Stop Trench
FGAF40N60SMD FAIRCHILD

获取价格

 		600 V, 40 A Field Stop IGBT
FGAF40N60SMD ONSEMI

获取价格

 		IGBT，600V，40A，场截止
FGAF40N60UF FAIRCHILD

获取价格

 		Ultrafast IGBT
FGAF40N60UFD FAIRCHILD

获取价格

 		Ultrafast IGBT

与FGA90N33ATTU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证