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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PN | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 201 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 420 ns | 标称接通时间 (ton)： | 120 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA70N33BTD | FAIRCHILD |
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330V, 70A PDP IGBT |
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| FGA70N33BTDTU | FAIRCHILD |
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330V, 70A PDP IGBT |
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| FGA90N30 | FAIRCHILD |
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300V PDP IGBT |
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| FGA90N30D | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V PDP IGBT |
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| FGA90N30DTU | ROCHESTER |
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90A, 300V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
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| FGA90N33AT | FAIRCHILD |
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330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGA90N33ATDTU | ONSEMI |
获取价格 |
330V，PDP 沟槽 IGBT |
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