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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 最大集电极电流 (IC)： | 90 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 219 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 310 ns | 标称接通时间 (ton)： | 240 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA90N30DTU | ROCHESTER |
获取价格 |
90A, 300V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
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| FGA90N33AT | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATD_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 90A PDP Trench IGBT |
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| FGA90N33ATDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGA90N33ATDTU | ONSEMI |
获取价格 |
330V，PDP 沟槽 IGBT |
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| FGA90N33ATTU | ONSEMI |
获取价格 |
Discrete IGBT, TO-3PN 3L, 3600-RAIL |
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| FGA90N33ATTU | ROCHESTER |
获取价格 |
90A, 330V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN |
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| FGA90N33ATTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TO- |
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| FGAF20N60SMD | FAIRCHILD |
获取价格 |
600 V, 20 A Field Stop IGBT |
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